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SI8483DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-Micro Foot?(1.5x1)
數量:
 4779  
說明:
 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
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SI8483DB-T2-E1-6-Micro Foot?(1.5x1)圖片

SI8483DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:80 nS
上升時間:20 nS
功率耗散:13 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:43 nC
下降時間:20 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):26 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:- 16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:- 12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8483DB-T2-E1的詳細信息,包括SI8483DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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