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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns
上升時(shí)間:10 ns
功率耗散:13 W
柵極電荷 Qg:32.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時(shí)間:22 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):53 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:13 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8497DB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8497DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!