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SI7601DN-T1-GE3

廠家：
  Vishay
封裝：
 PowerPAK? 1212-8
數量：
 7434  
說明：
 MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V
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SI7601DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SI7601DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI7601DN-GE3
典型關閉延遲時間：53 ns
上升時間：112 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 50 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：19 mOhms
漏極連續電流：11.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7601DN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7601DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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