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SI7619DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 8001
說明：: MOSFET P-CH 30V 1212-8 PPAK

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SI7619DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫歐 @ 10.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：24A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1350pF @ 15V
功率 - 最大：27.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7619DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7619DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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