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SI7623DN-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? 1212-8
數量：
 7722  
說明：
 MOSFET -20V 3.8mOhm@10V 35A P-Ch G-III
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SI7623DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SI7623DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

商標名：P-Channel Gen III
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：55.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：70 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.8 mOhms at 10 V
漏極連續電流：- 35 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7623DN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7623DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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