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SI7530DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SO-8
數量：: 261
說明：: MOSFET 60V 4.6/5.0A 75/64mohm @ 10V

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SI7530DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI7530DP-GE3
典型關閉延遲時間：15 ns at N Channel, 65 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
功率耗散：3.3 W, 3.5 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：75 mOhms, 64 mOhms
漏極連續電流：4.6 A, 5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7530DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7530DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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