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SI4914BDY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 1215
說明：: MOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1

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SI4914BDY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4914BDY-E3
典型關閉延遲時間：16 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
功率耗散：1.7 W, 2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：21 mOhms, 20 mOhms
漏極連續電流：6.7 A, 7.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4914BDY-T1-E3的詳細信息，包括SI4914BDY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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