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SI4920DY

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 3285
說明：: MOSFET SO8 DUAL NCH

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SI4920DY PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：10 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：18 S
下降時間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.023 Ohms
漏極連續電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SI4920DY的詳細信息，包括SI4920DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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