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SI4916DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 4113
說明：: MOSFET 30 Volt 6.6/8.9 Amp

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SI4916DY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4916DY-E3
典型關閉延遲時間：21 ns at Channel 1, 27 ns at Channel 2
工廠包裝數量：2500
上升時間：11 ns at Channel 1, 13 ns at Channel 2
功率耗散：1.9 W, 2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns at Channel 1, 13 ns at Channel 2
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18 mOhms
漏極連續電流：7.5 A, 7.8 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4916DY-T1-E3的詳細信息，包括SI4916DY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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