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SI4558DY-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 4356  
說明:
 MOSFET 30V 6A 2.4W
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SI4558DY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:27 ns, 38 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:12 ns
功率耗散:2.4 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:24 ns, 25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):40 mOhms
漏極連續(xù)電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI4558DY-T1的詳細信息,包括SI4558DY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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