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SI4559ADY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 2565  
說明:
 MOSFET N-AND P-CH 60V(D-S)
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SI4559ADY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4559ADY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4559ADY-E3
典型關閉延遲時間:20 ns, 40 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:65 ns, 70 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns, 30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):58 mOhms, 120 mOhms
漏極連續電流:4.3 A, 3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4559ADY-T1-E3的詳細信息,包括SI4559ADY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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