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SI4559EY-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 3915
說(shuō)明：: MOSFET 60V 4.5/3.1A

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SI4559EY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：36 ns, 12 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：11 ns, 10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：11 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：55 mOhms, 120 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.5 A, 3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4559EY-T1的詳細(xì)信息，包括SI4559EY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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