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SI3433BDV-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSOP
數(shù)量:
 2493  
說明:
 MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V
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SI3433BDV-T1-GE3-6-TSOP圖片

SI3433BDV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI3433BDV-GE3
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.042 Ohms
漏極連續(xù)電流:4.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3433BDV-T1-GE3的詳細信息,包括SI3433BDV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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