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SI3435DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數(shù)量：: 1665
說(shuō)明：: MOSFET 12V 4.8A 2W

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SI3435DV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI3435DV-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：90 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.073 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3435DV-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI3435DV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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