色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI3435DV-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TSOP-6
數量:
 7983  
說明:
 MOSFET 12V 4.8A 2W
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SI3435DV-T1-TSOP-6圖片

SI3435DV-T1 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:90 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:45 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:45 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.073 Ohms
漏極連續電流:4.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3435DV-T1的詳細信息,包括SI3435DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 普安县| 都匀市| 卢氏县| 象山县| 泸溪县| 长海县| 米泉市| 福鼎市| 五大连池市| 敦煌市| 公安县| 女性| 天峨县| 沂南县| 贵南县| 温宿县| 静宁县| 蓝山县| 山东省| 梧州市| 水城县| 筠连县| 丰都县| 东明县| 旬邑县| 磐石市| 土默特左旗| 保亭| 湘潭市| 琼海市| 涟水县| 苍溪县| 瓮安县| 镇巴县| 治多县| 石城县| 唐山市| 广东省| 榆社县| 延庆县| 左云县|