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SI3422DV-T1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TSOP-6
數量：
 1593  
說明：
 MOSFET 200V 0.31A
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SI3422DV-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：8 ns
功率耗散：1.14 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5 Ohms
漏極連續電流：0.31 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3422DV-T1的詳細信息，包括SI3422DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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