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PTFA190451E V1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36265-2
數量:
 2862  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W
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PTFA190451E V1-H-36265-2圖片

PTFA190451E V1 PDF參數資料

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中文參數如下:

電阻汲極/源極 RDS(導通):0.91 Ohms
功率耗散:211 W
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tray
封裝形式:H-36265-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續電流:450 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:45 W
增益:17.5 dB
頻率:1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA190451E V1的詳細信息,包括PTFA190451E V1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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