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PTFA191001E V4 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36248-2
數(shù)量：: 5814
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 100 W 1930-1990 MHz

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PTFA191001E V4 R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：FA191001EV4R25XT
工廠包裝數(shù)量：250
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.08 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：H-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：17 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

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