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PTFA191001E V4

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-36248-2
數量：
 5805  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA191001E V4-H-36248-2圖片

PTFA191001E V4 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FA191001EV4XP
工廠包裝數量：50
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：17 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA191001E V4的詳細信息，包括PTFA191001E V4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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