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PSMN8R5-100ESQ

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數(shù)量：: 747
說明：: MOSFET

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PSMN8R5-100ESQ-TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA圖片

PSMN8R5-100ESQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：87 ns
上升時間：35 ns
功率耗散：263 W
柵極電荷 Qg：111 nC
下降時間：43 ns
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：22.6 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN8R5-100ESQ的詳細(xì)信息，包括PSMN8R5-100ESQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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