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PSMN8R5-100PSQ

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-220-3
數量:
 5740  
說明:
 MOSFET
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PSMN8R5-100PSQ-TO-220-3圖片

PSMN8R5-100PSQ PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:87 ns
上升時間:35 ns
功率耗散:263 W
柵極電荷 Qg:111 nC
下降時間:43 ns
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):22.6 mOhms
漏極連續電流:100 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN8R5-100PSQ的詳細信息,包括PSMN8R5-100PSQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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