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PSMN9R1-30YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-100，SOT-669
數量：: 4644
說明：: MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

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PSMN9R1-30YL,115 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數量：1500
上升時間：20 ns
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.4 nC
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：LFPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.1 mOhms
漏極連續電流：57 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN9R1-30YL,115的詳細信息，包括PSMN9R1-30YL,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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