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PSMN1R4-30YLDX

廠家：: Nexperia USA Inc.
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 14551
說明：: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

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PSMN1R4-30YLDX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：166W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3840 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：54.8 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.42 毫歐 @ 25A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PSMN1R4-30YLDX的詳細(xì)信息，包括PSMN1R4-30YLDX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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