色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > PH3330L T/R

PH3330L T/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-669
數量：: 8712
說明：: MOSFET TRENCH-3

一、本商品被瀏覽0次.

PH3330L T/R PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：PH3330L,115
典型關閉延遲時間：52 ns
工廠包裝數量：1500
上升時間：75 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0033 Ohms
漏極連續電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PH3330L T/R的詳細信息，包括PH3330L T/R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：