色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > PH3830L,115

PH3830L,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 3402
說明：: MOSFET N-CH TRENCH 30V

一、本商品被瀏覽0次.

PH3830L,115 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：PH3830L T/R
典型關閉延遲時間：58 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：88 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：57 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0038 Ohms
漏極連續(xù)電流：98 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PH3830L,115的詳細信息，包括PH3830L,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：