
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:5 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.19 Ohms
漏極連續電流:1.4 A
閘/源擊穿電壓:15 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTMD6601NR2G的詳細信息,包括NTMD6601NR2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!