色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 6687
說明：: MOSFET NFET 30V SPCL TR

一、本商品被瀏覽0次.

NTMD6N03R2G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22 ns, 45 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：27 ns, 22 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：34 ns, 45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.032 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD6N03R2G的詳細信息，包括NTMD6N03R2G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：