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NTMD6P02R2SG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 6723
說明：: MOSFET PFET20V 6A .033R TR

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NTMD6P02R2SG PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：85 ns, 50 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：20 ns, 65 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns, 80 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.033 Ohms
漏極連續電流：7.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD6P02R2SG的詳細信息，包括NTMD6P02R2SG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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