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NIMD6302R2

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 SOIC-8
數量：
 8316  
說明：
 MOSFET NFET S08D 30V .050R
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NIMD6302R2 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35.9 ns, 66.5 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：56.5 ns, 2.7 ns
功率耗散：1.3 W
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：19.8 S
下降時間：56.5 ns, 2.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.05 Ohms
漏極連續電流：6.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NIMD6302R2的詳細信息，包括NIMD6302R2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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