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IXTQ180N085T

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-3P
數量：
 162  
說明：
 MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds
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IXTQ180N085T-TO-3P圖片

IXTQ180N085T PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：70 ns
功率耗散：430 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0055 Ohms
漏極連續電流：180 A
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ180N085T的詳細信息，包括IXTQ180N085T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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