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IXTQ200N06P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數量:
 423  
說明:
 MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds
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IXTQ200N06P-TO-3P圖片

IXTQ200N06P PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:90 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:60 ns
功率耗散:714 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:40 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.006 Ohms
漏極連續電流:200 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ200N06P的詳細信息,包括IXTQ200N06P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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