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IXTQ182N055T

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 180  
說明:
 MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
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IXTQ182N055T-TO-3P圖片

IXTQ182N055T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:53 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:35 ns
功率耗散:360 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:38 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.005 Ohms
漏極連續(xù)電流:182 A
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ182N055T的詳細信息,包括IXTQ182N055T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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