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IXTP1N120P

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-220-3
數量：
 7497  
說明：
 MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
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IXTP1N120P-TO-220-3圖片

IXTP1N120P PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：54 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：28 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：27 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 Ohms
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1N120P的詳細信息，包括IXTP1N120P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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