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IXTP1R4N60P

廠家：
  Ixys
封裝：
 TO-220-3
數(shù)量：
 5796  
說明：
 MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
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IXTP1R4N60P-TO-220-3圖片

IXTP1R4N60P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：16 ns
功率耗散：50 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：1.1 s
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTP1R4N60P的詳細(xì)信息，包括IXTP1R4N60P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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