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IXTP1R6N50D2

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 8190  
說明:
 MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
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IXTP1R6N50D2-TO-220-3圖片

IXTP1R6N50D2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
上升時間:70 ns
功率耗散:100 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:23.7 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :1.75 S
下降時間:41 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2.3 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.6 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTP1R6N50D2的詳細信息,包括IXTP1R6N50D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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