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IXFT12N100F

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268
數量:
 6444  
說明:
 MOSFET
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IXFT12N100F-TO-268圖片

IXFT12N100F PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:31 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:9.8 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:12 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.05 Ohms
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT12N100F的詳細信息,包括IXFT12N100F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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