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IXFT15N100Q3

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268AA
數量:
 1019  
說明:
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
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IXFT15N100Q3-TO-268AA圖片

IXFT15N100Q3 PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:250 ns
功率耗散:690 W
柵極電荷 Qg:64 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.05 Ohms
漏極連續電流:15 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT15N100Q3的詳細信息,包括IXFT15N100Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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