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IXFT12N100Q

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268AA
數(shù)量:
 6453  
說明:
 MOSFET 12 Amps 1000V
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IXFT12N100Q-TO-268AA圖片

IXFT12N100Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:40 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:23 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.05 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT12N100Q的詳細信息,包括IXFT12N100Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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