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IRFBE20S

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5931
說明：: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBE20S-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE20S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.5 歐姆 @ 1.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)800V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.8A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 530pF @ 25V
功率 - 最大54W
安裝類型表面貼裝

以上是IRFBE20S的詳細(xì)信息，包括IRFBE20S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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