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IRFBE30

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 3321
說(shuō)明：: MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

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IRFBE30 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：82 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：33 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBE30的詳細(xì)信息，包括IRFBE30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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