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IRFBE30STRL

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 5940
說明：: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30STRL-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE30STRL PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 2.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)800V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.1A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 最大125W
安裝類型表面貼裝

以上是IRFBE30STRL的詳細信息，包括IRFBE30STRL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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