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IRF7379PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SO
數量:
 6813  
說明:
 MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7379PBF-8-SO圖片

IRF7379PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:22 ns, 25 ns
工廠包裝數量:95
上升時間:21 ns, 17 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:16.7 nC
下降時間:7.7 ns, 18 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):75 mOhms
漏極連續電流:5.8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF7379PBF的詳細信息,包括IRF7379PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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