色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF737LCSTRR

IRF737LCSTRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 6930
說明：: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

IRF737LCSTRR PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C750 毫歐 @ 3.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)300V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.1A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 430pF @ 25V
功率 - 最大74W
安裝類型表面貼裝

以上是IRF737LCSTRR的詳細(xì)信息，包括IRF737LCSTRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1