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IRF7379QPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 SOIC-8
數量:
 7389  
說明:
 MOSFET
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IRF7379QPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:2.5 W
柵極電荷 Qg:16.7 nC
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):75 mOhms
漏極連續電流:5.8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
制造商:International Rectifier

以上是IRF7379QPBF的詳細信息,包括IRF7379QPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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