IPI180N10N3GXKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 6300
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3

一、本商品被瀏覽0次.

IPI180N10N3GXKSA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：71W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 33A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：43A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPI180N10N3GXKSA1的詳細(xì)信息，包括IPI180N10N3GXKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：