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IPI200N25N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262-3
數量:
 9034  
說明:
 MOSFET N-Channel 250V MOSFET
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IPI200N25N3 G-TO-262-3圖片

IPI200N25N3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPI200N25N3GAKSA1 IPI200N25N3GXK SP000714308
典型關閉延遲時間:45 nS
上升時間:20 nS
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:64 nC
下降時間:12 nS
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):20 mOhms at 10 V
漏極連續電流:64 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPI200N25N3 G的詳細信息,包括IPI200N25N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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