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IPI200N15N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
數(shù)量:
 4707  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A
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IPI200N15N3 G-TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA圖片

IPI200N15N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPI200N15N3GHKSA1 IPI200N15N3GXKSA1 SP000414724
典型關(guān)閉延遲時間:23 ns
工廠包裝數(shù)量:500
上升時間:11 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPI200N15N3 G的詳細(xì)信息,包括IPI200N15N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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