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IPD90R1K2C3

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 6155
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V

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IPD90R1K2C3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3XT SP000413720
典型關(guān)閉延遲時間：400 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：83000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1200 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD90R1K2C3的詳細(xì)信息，包括IPD90R1K2C3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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