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IPDH6N03LA G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 10575  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 50A
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IPDH6N03LA G-TO-252圖片

IPDH6N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:23 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:5.4 ns
功率耗散:71 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :69 S / 35 S
下降時間:4.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):10 m Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPDH6N03LA G的詳細信息,包括IPDH6N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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