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IPD95R1K2P7ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 450
說明：: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3

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IPD95R1K2P7ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：52W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：478 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 140μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 2.7A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：950 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolMOS? P7
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD95R1K2P7ATMA1的詳細(xì)信息，包括IPD95R1K2P7ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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